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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRF151CHIP |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 40A I(D) | CHIP |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 60V的五（巴西）直| 40A條（丁）|芯片 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/11頁(yè) |
| 文件大小： | 661K |
| 代理商： | IRF151CHIP |
www.irf.com
5
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
0.01
0.1
1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Notes:
1. Duty factor D =
t / t
2. Peak T
= P
x Z
+ T
2
J
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
(
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
25
50
75
100
125
150
175
0
40
80
120
160
200
T , Case Temperature (°
I
D
LIMITED BY PACKAGE
Fig 10.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
T , Junction Temperature
( C)
R
(
D
V
=
I
=
GS
D
10V
240A
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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