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參數(shù)資料
型號: IRF7314Q
英文描述: -20V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package
中文描述: - 20V的雙P溝道HEXFET功率MOSFET的SO - 8封裝
文件頁數(shù): 3/10頁
文件大小: 184K
代理商: IRF7314Q
IRF730AS/L
www.irf.com
3
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
T = 150 C
20μs PULSE WIDTH
TOP
BOTTOM
VGS
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
4.5V
0.1
1
10
100
4.0
5.0
V , Gate-to-Source Voltage (V)
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
20μs PULSE WIDTH
V = 50V
DS
I
D
T = 25 C
°
T = 150 C
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
T , Junction Temperature ( C)
R
(
D
I =
V
=
GS
10V
5.5
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
T = 25 C
20μs PULSE WIDTH
TOP
BOTTOM
VGS
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
4.5V
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF7316S
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IRF7322D1 -20V FETKY - MOSFET and Schottky Diode in a SO-8 package
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IRF732FI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-220AB
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參數(shù)描述
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IRF7314QTRPBF 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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