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參數資料
| 型號： | IRFPS35N50L |
| 廠商： | International Rectifier |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 30V的N溝道的PowerTrench MOSFET的 |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 154K |
| 代理商： | IRFPS35N50L |
IRFPS35N50L
SMPS MOSFET
HEXFET Power MOSFET
V
DSS
R
DS(on)
typ.
Trr
typ.
500V
0.125
8/26/04
Super-247
I
D
34A
170ns
Features and Benefits
!
"
Applications
#$
%$
&$
#'
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Max.
34
22
140
450
Units
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
I
DM
Pulsed Drain Current
P
D
@T
C
= 25°C Power Dissipation
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
A
W
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
3.6
±30
W/°C
V
V
GS
dv/dt
T
J
T
STG
Peak Diode Recovery dv/dt
Operating Junction and
Storage Temperature Range
15
V/ns
-55 to + 150
°C
Soldering Temperature, for 10 seconds
Mounting torque, 6-32 or M3 screw
Diode Characteristics
Symbol
Parameter
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
I
SM
Pulsed Source Current
(Body Diode)
V
SD
Diode Forward Voltage
t
rr
Reverse Recovery Time
300 (1.6mm from case )
1.1(10)
Nm (lbfin)
Min. Typ. Max. Units
–––
–––
Conditions
MOSFET symbol
34
A
showing the
integral reverse
–––
–––
140
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 34A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 34A
T
J
= 125°C, di/dt = 100A/μs
nC T
J
= 25°C, I
S
= 34A, V
GS
= 0V
T
J
= 125°C, di/dt = 100A/μs
A
T
J
= 25°C
–––
–––
–––
–––
–––
–––
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by LS+LD)
–––
170
220
670
1500 2200
8.5
1.5
250
330
1010
V
ns
Q
rr
Reverse Recovery Charge
I
RRM
t
on
Reverse Recovery Current
Forward Turn-On Time
–––
PD- 94227A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFPS3810 | Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.009ohm, Id=170A) |
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| IRFPS38N60L | SMPS MOSFET |
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| IRFPS40N60K | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRFPS35N50LPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 34 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFPS37N50 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=0.13ohm, Id=36A) |
| IRFPS37N50A | 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 36 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFPS37N50APBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 36 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFPS3810 | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 170A SUPER247 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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