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參數資料
| 型號： | IRFZ24N |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor(N溝道增強型 TrenchMOS 晶體管) |
| 中文描述： | 17 A, 55 V, 0.07 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 文件頁數： | 5/8頁 |
| 文件大小： | 64K |
| 代理商： | IRFZ24N |
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel enhancement mode
TrenchMOS
TM
transistor
IRFZ24N
Fig.11. Sub-threshold drain current.
I
D
= f(V
GS)
; conditions: T
j
= 25 C; V
DS
= V
GS
Fig.12. Typical capacitances, C
, C
, C
.
C = f(V
DS
); conditions: V
GS
= 0 V; f = 1 MHz
Fig.13. Typical turn-on gate-charge characteristics.
V
GS
= f(Q
G
); conditions: I
D
= 20 A; parameter V
DS
Fig.14. Typical reverse diode current.
I
F
= f(V
SDS
); conditions: V
GS
= 0 V; parameter T
j
Fig.15. Normalised avalanche energy rating.
W
DSS
% = f(T
mb
); conditions: I
D
= 17 A
Fig.16. Avalanche energy test circuit.
W
DSS
=
0.5
LI
D
0
1
2
3
4
5
1E-06
1E-05
1E-04
1E-03
1E-02
1E-01
Sub-Threshold Conduction
typ
2%
98%
0
0.5
1
1.5
0
20
40
60
80
100
IF/A
VSDS/V
Tj/C =
175
25
0.01
0.1
1
10
100
0
.1
.2
.3
.4
.5
.6
.7
.8
.9
1
T
VDS/V
Ciss
Coss
Crss
20
40
60
80
100
Tmb / C
120
140
160
180
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
WDSS%
0
5
10
15
0
2
4
6
8
10
12
VGS/V
QG/nC
VDS = 14V
VDS = 44V
L
T.U.T.
VDD
RGS
R 01
shunt
VDS
-ID/100
+
-
VGS
0
2
BV
DSS
/(
BV
DSS
V
DD
)
February 1999
5
Rev 1.000
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFZ44N | N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor |
| IRFZ44NS | N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor |
| IRFZ44 | N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor |
| IRFZ44 | N-CHANNEL POWER MOSFETS |
| IRFZ44EL | MOV 250V RMS 17MM HIGH ENERGY |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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