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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRFZ44 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | N-CHANNEL POWER MOSFETS |
| 中文描述： | N溝道功率MOSFET |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/8頁(yè) |
| 文件大小： | 64K |
| 代理商： | IRFZ44 |
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel enhancement mode
TrenchMOS
TM
transistor
IRFZ44N
Fig.11. Sub-threshold drain current.
I
D
= f(V
GS)
; conditions: T
j
= 25 C; V
DS
= V
GS
Fig.12. Typical capacitances, C
, C
, C
.
C = f(V
DS
); conditions: V
GS
= 0 V; f = 1 MHz
Fig.13. Typical turn-on gate-charge characteristics.
V
GS
= f(Q
G
); conditions: I
D
= 50 A; parameter V
DS
Fig.14. Typical reverse diode current.
I
F
= f(V
SDS
); conditions: V
GS
= 0 V; parameter T
j
Fig.15. Normalised avalanche energy rating.
W
DSS
% = f(T
mb
); conditions: I
D
= 49 A
Fig.16. Avalanche energy test circuit.
W
DSS
=
0.5
LI
D
0
1
2
3
4
5
1E-06
1E-05
1E-04
1E-03
1E-02
1E-01
Sub-Threshold Conduction
typ
2%
98%
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0
20
40
60
80
100
IF/A
VSDS/V
Tj/C =
175
25
0.01
0.1
1
10
100
0
.5
1
1.5
2
2.5
T
VDS/V
Ciss
Coss
Crss
20
40
60
80
100
Tmb / C
120
140
160
180
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
WDSS%
0
10
20
30
40
50
0
2
4
6
8
10
12
VGS/V
QG/nC
VDS = 14V
VDS = 44V
L
T.U.T.
VDD
RGS
R 01
shunt
VDS
-ID/100
+
-
VGS
0
2
BV
DSS
/(
BV
DSS
V
DD
)
February 1999
5
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFZ44EL | MOV 250V RMS 17MM HIGH ENERGY |
| IRFZ44ES | MOV 175V RMS 17MM HIGH ENERGY |
| IRFZ44N | Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=17.5mohm, Id=49A) |
| IRFZ44NL | Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.0175ohm, Id=49A) |
| IRFZ44VZS | Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=12mohm, Id=57A) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRFZ44_11 | 制造商:VISHAY 制造商全稱(chēng):Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
| IRFZ44A | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| IRFZ44CN | 制造商:ISC 制造商全稱(chēng):Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:isc N-Channel MOSFET Transistor |
| IRFZ44E | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 48A TO-220AB RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRFZ44E-004HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:HI-REL DISCRETE - Rail/Tube |
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