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參數資料
| 型號： | IRFZ44 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | N-CHANNEL POWER MOSFETS |
| 中文描述： | N溝道功率MOSFET |
| 文件頁數： | 6/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 64K |
| 代理商： | IRFZ44 |
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel enhancement mode
TrenchMOS
TM
transistor
IRFZ44N
Fig.17. Switching test circuit.
RD
T.U.T.
VDD
RG
VDS
+
-
VGS
0
February 1999
6
Rev 1.000
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFZ44EL | MOV 250V RMS 17MM HIGH ENERGY |
| IRFZ44ES | MOV 175V RMS 17MM HIGH ENERGY |
| IRFZ44N | Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=17.5mohm, Id=49A) |
| IRFZ44NL | Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.0175ohm, Id=49A) |
| IRFZ44VZS | Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=12mohm, Id=57A) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRFZ44_11 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
| IRFZ44A | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| IRFZ44CN | 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:isc N-Channel MOSFET Transistor |
| IRFZ44E | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 48A TO-220AB RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRFZ44E-004HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:HI-REL DISCRETE - Rail/Tube |
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