- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄360951 > IRFZ48 (NXP Semiconductors N.V.) N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor PDF資料下載
參數資料
| 型號： | IRFZ48 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor |
| 中文描述： | N溝道增強模式TrenchMOS晶體管 |
| 文件頁數： | 3/8頁 |
| 文件大小： | 65K |
| 代理商： | IRFZ48 |
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel enhancement mode
TrenchMOS
TM
transistor
IRFZ48N
REVERSE DIODE LIMITING VALUES AND CHARACTERISTICS
T
j
= 25C unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
I
DR
Continuous reverse drain
current
I
DRM
Pulsed reverse drain current
V
SD
Diode forward voltage
CONDITIONS
MIN.
-
TYP.
-
MAX.
64
UNIT
A
-
-
-
-
-
-
210
1.2
-
-
-
A
V
V
ns
μ
C
I
F
= 25 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 65 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 65 A; -dI
/dt = 100 A/
μ
s;
V
GS
= -10 V; V
R
= 30 V
0.95
1.0
57
0.14
t
rr
Q
rr
Reverse recovery time
Reverse recovery charge
AVALANCHE LIMITING VALUE
SYMBOL
W
DSS
PARAMETER
Drain-source non-repetitive
unclamped inductive turn-off
energy
CONDITIONS
I
D
= 65 A; V
≤
25 V;
V
GS
= 10 V; R
GS
= 50
; T
mb
= 25 C
MIN.
-
TYP.
-
MAX.
200
UNIT
mJ
Fig.1. Normalised power dissipation.
PD% = 100
P
D
/P
D 25 C
= f(T
mb
)
Fig.2. Normalised continuous drain current.
ID% = 100
I
D
/I
D 25 C
= f(T
mb
); conditions: V
GS
≥
5 V
0
20
40
60
80
Tmb / C
100
120
140
160
180
PD%
Normalised Power Derating
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
20
40
60
80
Tmb / C
100
120
140
160
180
ID%
Normalised Current Derating
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
February 1999
3
Rev 1.000
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFZ48N | N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor |
| IRFZ48NS | Advanced Process Technology |
| IRFZ48 | Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.018ohm, Id=50*A) |
| IRFZ48R | Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.018ohm, Id=50*A) |
| IRFZ48VS | Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=12mohm, Id=72A) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRFZ48_11 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
| IRFZ48L | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 50A TO-262 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRFZ48LPBF | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
| IRFZ48N | 功能描述:MOSFET MOSFET, 55V, 64A, 14 mOhm, 54 nC Qg, TO-220AB RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFZ48NL | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 64A TO-262 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。