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參數(shù)資料
| 型號： | IRFZ48 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor |
| 中文描述： | N溝道增強(qiáng)模式TrenchMOS晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 4/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 65K |
| 代理商： | IRFZ48 |
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel enhancement mode
TrenchMOS
TM
transistor
IRFZ48N
Fig.3. Safe operating area. T
= 25 C
I
D
& I
DM
= f(V
DS
); I
DM
single pulse; parameter t
p
Fig.4. Transient thermal impedance.
Z
th j-mb
= f(t); parameter D = t
p
/T
Fig.5. Typical output characteristics, T
j
= 25 C
I
D
= f(V
DS
); parameter V
GS
Fig.6. Typical on-state resistance, T
j
= 25 C
R
DS(ON)
= f(I
D
); parameter V
GS
Fig.7. Typical transfer characteristics.
I
D
= f(V
GS
); conditions: V
DS
= 25 V; parameter T
j
Fig.8. Typical transconductance, T
= 25 C
g
fs
= f(I
D
); conditions: V
DS
= 25 V
VDS / V
ID / A
RDS(ON) = VDS/ID
1 us
10 us
100 us
1 ms
10 ms
100 ms
tp =
1
10
100
1000
1
10
55
DC
SOAX514
100
0
5
10
15
20
25
30
10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 70 75 80 85 90 95100
ID/A
RDS(ON)/mOhm
VGS/V =
6
6.5
7
8
9
10
1E-07
1E-05
1E-03
t / s
1E-01
1E+01
Zth / (K/W)
1E+01
1E+00
1E-01
1E-02
1E-03
0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
BUKX514-55
D =
t
p
t
p
T
T
P
D
t
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
0
20
40
60
80
100
ID/A
VGS/V
Tj/C =
175
25
0
2
4
6
8
10
0
20
40
60
80
100
ID/A
16
10
8
7.5
7
6.5
6
5.5
5
4.5
4
VGS/V =
VDS/V
0
20
40
60
80
100
0
5
10
15
20
25
30
35
40
gfs/S
ID/A
February 1999
4
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFZ48N | N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor |
| IRFZ48NS | Advanced Process Technology |
| IRFZ48 | Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.018ohm, Id=50*A) |
| IRFZ48R | Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.018ohm, Id=50*A) |
| IRFZ48VS | Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=12mohm, Id=72A) |
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參數(shù)描述 |
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