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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRFZ48NS |
| 廠(chǎng)商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Advanced Process Technology |
| 中文描述： | 先進(jìn)的工藝技術(shù) |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/8頁(yè) |
| 文件大小： | 65K |
| 代理商： | IRFZ48NS |
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel enhancement mode
TrenchMOS
TM
transistor
IRFZ48N
Fig.15. Normalised avalanche energy rating.
W
DSS
% = f(T
mb
); conditions: I
D
= 75 A
Fig.16. Avalanche energy test circuit.
W
DSS
=
0.5
LI
D
Fig.17. Switching test circuit.
20
40
60
80
100
Tmb / C
120
140
160
180
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
WDSS%
RD
T.U.T.
VDD
RG
VDS
+
-
VGS
0
L
T.U.T.
VDD
RGS
R 01
shunt
VDS
-ID/100
+
-
VGS
0
2
BV
DSS
/(
BV
DSS
V
DD
)
February 1999
6
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFZ48 | Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.018ohm, Id=50*A) |
| IRFZ48R | Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.018ohm, Id=50*A) |
| IRFZ48VS | Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=12mohm, Id=72A) |
| IRG41BC30UD | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 8.9A I(C) | TO-220FP |
| IRG4BAC50S | |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRFZ48NSHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 55V 64A 3PIN D2PAK - Bulk |
| IRFZ48NSPBF | 功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 14mOhms 54nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFZ48NSPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET Transistor RoHS Compliant:Yes |
| IRFZ48NSTRLHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
| IRFZ48NSTRLPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 64A 14mOhm 54nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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