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參數資料
型號: IRFZ48NS
廠商: International Rectifier
英文描述: Advanced Process Technology
中文描述: 先進的工藝技術
文件頁數: 7/8頁
文件大小: 65K
代理商: IRFZ48NS
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel enhancement mode
TrenchMOS
TM
transistor
IRFZ48N
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm
Net Mass: 2 g
Fig.18. SOT78 (TO220AB); pin 2 connected to mounting base.
Notes
1. Observe the general handling precautions for electrostatic-discharge sensitive devices (ESDs) to prevent
damage to MOS gate oxide.
2. Refer to mounting instructions for SOT78 (TO220) envelopes.
3. Epoxy meets UL94 V0 at 1/8".
10,3
max
3,7
2,8
3,0
3,0 max
not tinned
1,3
max
(2x)
1 2 3
2,4
0,6
4,5
max
5,9
min
15,8
max
1,3
2,54 2,54
0,9 max (3x)
13,5
min
February 1999
7
Rev 1.000
相關PDF資料
PDF描述
IRFZ48 Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.018ohm, Id=50*A)
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IRFZ48VS Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=12mohm, Id=72A)
IRG41BC30UD TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 8.9A I(C) | TO-220FP
IRG4BAC50S
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參數描述
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