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參數資料
| 型號： | IRGP460LC |
| 文件頁數： | 3/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 159K |
| 代理商： | IRGP460LC |
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
IRFP450LC
Fig 1.
Typical Output Characteristics,
T
C
= 25
o
C
Fig 2.
Typical Output Characteristics,
T
C
= 150
o
C
0.01
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
I
D
VDS
VGS
20μs PULSE WIDTH
T = 25°C
A
4.5V
0.01
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
I
D
DS
VGS
20μs PULSE WIDTH
T = 150°C
A
4.5V
0.01
0.1
1
10
100
4
5
6
7
8
9
10
T = 25°C
T = 150°C
V , Gate-to-Source Voltage (V)
D
I
V = 50V
20μs PULSE WIDTH
A
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100 120 140 160
T , Junction Temperature (°C)
R
D
(
V = 10V
A
I = 14A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFP450LC | 500V,14A,N-Channel HEXFET Power MOSFET(500V,14A,N溝道 HEXFET功率MOS場效應管) |
| IRGPC30KD2 | |
| IRGPC40K | |
| IRGPC40KD2 | |
| IRGPC46 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 60A I(C) | TO-247AC |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRGP4640D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:INSULATED GATEBIPOLARTRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| IRGP4640D-EPBF | 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast IGBT 40A 250W 75nC RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IRGP4640DPBF | 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast IGBT 40A 250W 75nC RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IRGP4650D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORWITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| IRGP4650D-E | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORWITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
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