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參數資料

IRFP450LC

Fig 14.

For N-Channel HEXFETS

VGS = 5V for Logic Level Devices

Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit

dv/dt controlled by R

Driver same type as D.U.T.

controlled by Duty Factor "D"

D.U.T. - Device Under Test

D.U.T

Circuit Layout Considerations

Low Stray Inductance

Ground Plane

Low Leakage Inductance

Current Transformer

相關PDF資料	PDF描述
IRFP450LC	500V,14A,N-Channel HEXFET Power MOSFET(500V,14A,N溝道 HEXFET功率MOS場效應管)
IRGPC30KD2
IRGPC40K
IRGPC40KD2
IRGPC46	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 600V V(BR)CES \| 60A I(C) \| TO-247AC

相關代理商/技術參數	參數描述
IRGP4640D	制造商:未知廠家制造商全稱:未知廠家功能描述:INSULATED GATEBIPOLARTRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGP4640D-EPBF	功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast IGBT 40A 250W 75nC RoHS:否制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGP4640DPBF	功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast IGBT 40A 250W 75nC RoHS:否制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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IRGP4650D-E	制造商:未知廠家制造商全稱:未知廠家功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORWITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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