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參數資料
| 型號： | IRGP460LC |
| 文件頁數： | 4/8頁 |
| 文件大小： | 159K |
| 代理商： | IRGP460LC |
IRFP450LC
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
0
4
8
12
16
20
0
20
40
60
80
Q , Total Gate Charge (nC)
V
G
A
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 13
I = 14A
V = 400V
V = 250V
V = 100V
0
1000
2000
3000
4000
1
10
100
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
A
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
iss
C
oss
C
rss
0.1
1
10
100
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
T = 25°C
T = 150°C
V = 0V
V , Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
A
0.1
1
10
100
1000
1
10
100
1000
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
T = 25°C
T = 150°C
Single Pulse
100μs
1ms
10ms
A
10μs
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFP450LC | 500V,14A,N-Channel HEXFET Power MOSFET(500V,14A,N溝道 HEXFET功率MOS場效應管) |
| IRGPC30KD2 | |
| IRGPC40K | |
| IRGPC40KD2 | |
| IRGPC46 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 60A I(C) | TO-247AC |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRGP4640D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:INSULATED GATEBIPOLARTRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| IRGP4640D-EPBF | 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast IGBT 40A 250W 75nC RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IRGP4640DPBF | 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast IGBT 40A 250W 75nC RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IRGP4650D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORWITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| IRGP4650D-E | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORWITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
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