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參數(shù)資料
| 型號： | IRGP460LC |
| 文件頁數(shù)： | 6/8頁 |
| 文件大小： | 159K |
| 代理商： | IRGP460LC |
IRFP450LC
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
10 V
10 V
0
400
800
1200
1600
25
50
75
100
125
150
V = 50V
Starting T , Juntion Temperature (°C)
E
A
A
I
TOP 6.3A
8.9A
BOTTOM 14A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFP450LC | 500V,14A,N-Channel HEXFET Power MOSFET(500V,14A,N溝道 HEXFET功率MOS場效應(yīng)管) |
| IRGPC30KD2 | |
| IRGPC40K | |
| IRGPC40KD2 | |
| IRGPC46 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 60A I(C) | TO-247AC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRGP4640D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:INSULATED GATEBIPOLARTRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| IRGP4640D-EPBF | 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast IGBT 40A 250W 75nC RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IRGP4640DPBF | 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast IGBT 40A 250W 75nC RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IRGP4650D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORWITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| IRGP4650D-E | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORWITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
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