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參數資料
| 型號： | IRGPS40B120UD |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 40A I(C) | TO-247VAR |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT的|正陳| 1.2KV五（巴西）國際消費電子展| 40A條一（c）|至247VAR |
| 文件頁數： | 7/12頁 |
| 文件大小： | 117K |
| 代理商： | IRGPS40B120UD |
IRGPS40B120UD
www.irf.com
7
Fig. 17
- Typical Diode I
RR
vs. I
F
T
J
= 125
°
C
Fig. 18
- Typical Diode I
RR
vs. R
G
T
J
= 125
°
C; I
F
= 40A
Fig. 20
- Typical Diode Q
RR
V
CC
= 600V; V
GE
= 15V;T
J
= 125
°
C
Fig. 19
- Typical Diode I
RR
vs. di
F
/dt
V
CC
= 600V; V
GE
= 15V;
I
CE
= 40A; T
J
= 125
°
C
0
20
40
60
80
100
IF (A)
0
10
20
30
40
50
60
IR
RG = 4.7
RG =22
RG =47
RG =100
0
50
100
150
RG (
)
0
10
20
30
40
50
60
IR
0
500
1000
1500
diF /dt (A/μs)
0
10
20
30
40
50
60
IR
0
500
1000
1500
diF /dt (A/μs)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
QR
4.7
22
47
100
80A
40A
20A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| IRGPS60B120KDP | 功能描述:IGBT 晶體管 1200V UltraFast 5-40kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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