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參數資料
型號: IRGPS40B120UD
英文描述: TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 40A I(C) | TO-247VAR
中文描述: 晶體管| IGBT的|正陳| 1.2KV五(巴西)國際消費電子展| 40A條一(c)|至247VAR
文件頁數: 9/12頁
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代理商: IRGPS40B120UD
IRGPS40B120UD
www.irf.com
9
Fig 25.
Normalized Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case (DIODE)
Fig 24.
Normalized Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case (IGBT)
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.01
0.1
1
10
T
0.20
0.10
0.05
D = 0.50
0.02
0.01
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
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t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.001
0.01
0.1
1
10
T
0.20
0.10
0.05
D = 0.50
0.02
0.01
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
相關PDF資料
PDF描述
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IRGTDN150K06 TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 170A I(C)
IRGTDN150M06 TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 200A I(C)
IRGTDN150M12 TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 280A I(C)
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參數描述
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