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參數資料
| 型號： | IRGPS40B120UD |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 40A I(C) | TO-247VAR |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT的|正陳| 1.2KV五（巴西）國際消費電子展| 40A條一（c）|至247VAR |
| 文件頁數： | 8/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 117K |
| 代理商： | IRGPS40B120UD |
IRGPS40B120UD
8
www.irf.com
Fig. 21
- Typical Diode E
RR
vs. I
F
T
J
= 125
°
C
Fig. 23
- Typical Gate Charge
vs. V
GE
I
CE
= 40A; L = 600μH
Fig. 22
- Typ. Capacitance vs. V
CE
V
GE
= 0V; f = 1MHz
0
20
40
60
80
100
IF (A)
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
E
4.7
22
47
100
0
20
40
60
80
100
VCE (V)
10
100
1000
10000
C
Cies
Coes
Cres
0
100
200
300
400
Q G, Total Gate Charge (nC)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
VG
600V
800V
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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參數描述 |
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