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參數資料
| 型號： | IRL3102 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=0.013ohm, Id=61A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 20V的，的Rds（on）\u003d 0.013ohm，身份證\u003d 61A條） |
| 文件頁數： | 1/7頁 |
| 文件大小： | 96K |
| 代理商： | IRL3102 |
Parameter
Max.
61
39
240
89
0.71
± 10
14
Units
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 4.5V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 4.5V
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
(Start Up Transient, tp = 100μs)
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Peak Diode Recovery dv/dt
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Mounting torque, 6-32 or M3 srew
A
W
W/°C
V
V
V
GS
V
GSM
E
AS
I
AR
E
AR
dv/dt
T
J
T
STG
220
35
8.9
5.0
mJ
A
mJ
V/ns
-55 to + 150
300 (1.6mm from case )
10 lbfin (1.1Nm)
°C
11/18/97
IRL3102
PRELIMINARY
HEXFET
Power MOSFET
PD- 9.1694A
These HEXFET Power MOSFETs were designed
specifically to meet the demands of CPU core DC-DC
converters in the PC environment. Advanced
processing techniques combined with an optimized
gate oxide design results in a die sized specifically to
offer maximum efficiency at minimum cost.
The TO-220 package is universally preferred for all
commercial-industrial applications at power
dissipation levels to approximately 50 watts. The low
thermal resistance and low package cost of the TO-
220 contribute to its wide acceptance throughout the
industry.
S
D
G
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Typ.
–––
0.50
–––
Max.
1.4
–––
62
Units
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
Junction-to-Ambient
°C/W
Thermal Resistance
V
DSS
= 20V
R
DS(on)
= 0.013
I
D
= 61A
TO-220AB
Description
l
Advanced Process Technology
l
Optimized for 4.5V-7.0V Gate Drive
l
Ideal for CPU Core DC-DC Converters
l
Fast Switching
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| IRL3103L | Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=12mohm, Id=64A) |
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