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參數資料
| 型號： | IS42S32400A-7T |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| 中文描述： | 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO86 |
| 封裝： | PLASTIC, TSOP2-86 |
| 文件頁數： | 47/66頁 |
| 文件大小： | 556K |
| 代理商： | IS42S32400A-7T |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁當前第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
ADVANCED INFORMATION
Rev. 00A
06/01/02
47
ISSI
IS42S81600A, IS42S16800A, IS42S32400A
IS42LS81600A, IS42LS16800A, IS42LS32400A
DON'T CARE
CLK
DQM
COMMAND
ADDRESS
DQ
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
WRITE
NOP
NOP
NOP
ACTIVE
NOP
BANK a,
COL n
BANK a,
ROW
BANK
(a or all)
t
WR
t
RP
PRECHARGE
D
IN
n
D
IN
n+1
WRITE to PRECHARGE
(t
WR
@ t
CK
<
15ns)
CLK
COMMAND
ADDRESS
DQ
T0
T1
T2
WRITE
D
IN
n
(DATA)
BANK,
COL n
DON'T CARE
(ADDRESS)
BURST
TERMINATE
NEXT
COMMAND
WRITE Burst Termination
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS42S32400A-7TI | 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S32400A-7TL | 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS61C256AH-8J | x8 SRAM |
| IS61C256AH-8N | x8 SRAM |
| IS61C256AH-8T | x8 SRAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IS42S32400A-7TI | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S32400A-7TL | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述: |
| IS42S32400A-7TLI | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述: |
| IS42S32400B | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S32400B-6B | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述:IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 90FBGA |
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