型號: | IXGT16N170AH1 |
廠商: | IXYS CORP |
元件分類: | IGBT 晶體管 |
英文描述: | High Voltage IGBT |
中文描述: | 16 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT, TO-268AA |
封裝: | PLASTIC, TO-268, 3 PIN |
文件頁數: | 1/2頁 |
文件大?。?/td> | 533K |
代理商: | IXGT16N170AH1 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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IXGH16N170 | High Voltage IGBT |
IXGT16N170 | High Voltage IGBT |
IXGH17N100AU1 | Low VCE(sat) IGBT with Diode High speed IGBT with Diode |
IXGH17N100U1 | Low VCE(sat) IGBT with Diode High speed IGBT with Diode |
IXGH17N100 | Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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IXGT20N 60B | 功能描述:IGBT 晶體管 40 Amps 600 V 2.0 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
IXGT20N 60BD1 | 功能描述:IGBT 晶體管 40 Amps 600 V 2.0 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
IXGT20N100 | 功能描述:IGBT 晶體管 40 Amps 1000V 3 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
IXGT20N120 | 功能描述:IGBT 晶體管 40 Amps 1200V 3 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
IXGT20N120B | 功能描述:IGBT 晶體管 40 Amps 1200V 3.4 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |