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參數資料
| 型號： | IXTM9P20 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-3 |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| P通道| 200伏五（巴西）直| 9A條（丁）|至3 |
| 文件頁數： | 11/12頁 |
| 文件大小： | 1098K |
| 代理商： | IXTM9P20 |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTM9P25 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-3 |
| IXTP11P20 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-220 |
| IXTP2N100A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-220AB |
| IXTP2N95A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 950V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-220AB |
| IXTP2P45 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-220 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IXTM9P25 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-3 |
| IXTN110N20L2 | 功能描述:MOSFET 100Amps 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTN120N25 | 功能描述:MOSFET 120 Amps 250V 0.02 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTN120P20T | 功能描述:MOSFET TrenchP Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTN15N100 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N SOT-227B |
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