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參數資料

型號：	IXTM9P20
英文描述：	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 9A I(D) \| TO-3
中文描述：	晶體管\| MOSFET的\| P通道\| 200伏五（巴西）直\| 9A條（丁）\|至3
文件頁數：	12/12頁
文件大小：	1098K
代理商：	IXTM9P20

相關PDF資料	PDF描述
IXTM9P25	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 250V V(BR)DSS \| 9A I(D) \| TO-3
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IXTP2N95A	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 950V V(BR)DSS \| 2A I(D) \| TO-220AB
IXTP2P45	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 450V V(BR)DSS \| 2A I(D) \| TO-220

相關代理商/技術參數	參數描述
IXTM9P25	制造商:未知廠家制造商全稱:未知廠家功能描述:TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 250V V(BR)DSS \| 9A I(D) \| TO-3
IXTN110N20L2	功能描述:MOSFET 100Amps 200V RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTN120N25	功能描述:MOSFET 120 Amps 250V 0.02 Rds RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTN120P20T	功能描述:MOSFET TrenchP Power MOSFET RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTN15N100	制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N SOT-227B

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