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參數資料
型號: IXTM9P20
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-3
中文描述: 晶體管| MOSFET的| P通道| 200伏五(巴西)直| 9A條(?。﹟至3
文件頁數: 4/12頁
文件大?。?/td> 1098K
代理商: IXTM9P20
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相關PDF資料
PDF描述
IXTM9P25 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-3
IXTP11P20 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-220
IXTP2N100A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-220AB
IXTP2N95A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 950V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-220AB
IXTP2P45 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-220
相關代理商/技術參數
參數描述
IXTM9P25 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-3
IXTN110N20L2 功能描述:MOSFET 100Amps 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTN120N25 功能描述:MOSFET 120 Amps 250V 0.02 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTN120P20T 功能描述:MOSFET TrenchP Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTN15N100 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N SOT-227B
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