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參數資料
| 型號： | KSA1201 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Power Amplifier |
| 中文描述： | 800 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SOT-89, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 40K |
| 代理商： | KSA1201 |
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A2, September 2002
K
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current
I
B
Base Current
P
C
P
C
*
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
* Mounted on Ceramic Board (250mm2 x 0.8mm)
Electrical Characteristics
T
a
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
BV
EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cut-off Current
I
EBO
Emitter Cut-off Current
h
FE
DC Current Gain
V
CE
(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
V
BE
(on)
Base-Emitter On Voltage
f
T
Current Gain Bandwidth Product
C
ob
Output Capacitance
h
FE
Classification
Parameter
Ratings
-120
-120
-5
-800
-160
500
1,000
150
-55 ~ 150
Units
V
V
V
mA
mA
mW
mW
°
C
°
C
Collector Power Dissipation
Test Condition
I
C
= -10mA, I
B
=0
I
E
= -1mA, I
C
=0
V
CB
= -120V, I
E
=0
V
BE
= -5V, I
C
=0
V
CE
= -5V, I
C
= -100mA
I
C
= -500mA, I
B
=-50mA
V
CE
= -5V, I
C
= -500mA
V
CE
= -5V, I
C
= -100mA
V
CB
= -10V, I
E
=0, f=1MHz
Min.
-120
-5
Typ.
Max.
Units
V
V
nA
nA
-100
-100
240
-1.0
-1.0
80
V
V
120
MHz
pF
30
Classification
h
FE
O
Y
80 ~ 160
120 ~ 240
KSA1201
Power Amplifier
Collector-Emitter Voltage: V
CEO
= -120V
f
T
=120MHz
Collector Power Dissipation P
C
=1~2W : Mounted on Ceramic Board
Complement to KSC2881
SDX
Marking
h
FE
grade
1. Base 2. Collector 3. Emitter
SOT-89
1
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