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參數(shù)資料
| 型號： | KSA1203 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER |
| 中文描述： | 1500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SOT-89, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 44K |
| 代理商： | KSA1203 |
200
4
Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A3, June 2004
K
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current
I
B
Base Current
P
C
P
C
*
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
* Mounted on Ceramic Board (250mm2
×
0.8mm)
Electrical Characteristics
T
a
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
BV
EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cut-off Current
I
EBO
Emitter Cut-off Current
h
FE
DC Current Gain
V
CE
(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
V
BE
(on)
Base-Emitter On Voltage
f
T
Current Gain Bandwidth Product
C
ob
Output Capacitance
h
FE
Classification
Parameter
Ratings
-30
-30
-5
-1.5
-0.3
500
1,000
150
-55 ~ 150
Units
V
V
V
A
A
mW
mW
°
C
°
C
Collector Power Dissipation
Test Condition
I
C
= -10mA, I
B
=0
I
E
= -1mA, I
C
=0
V
CB
= -30V, I
E
=0
V
BE
= -5V, I
C
=0
V
CE
= -2V, I
C
= -500mA
I
C
= -1.5A, I
B
= -30mA
V
CE
= -2V, I
C
= -500mA
V
CE
= -2V, I
C
= -500mA
V
CB
= -10V, I
E
=0, f=1MHz
Min.
-30
-5
Typ.
Max.
Units
V
V
nA
nA
-100
-100
320
-2.0
-1.0
100
V
V
120
MHz
pF
50
Classification
h
FE
O
Y
100 ~ 200
160 ~ 320
1. Base 2. Collector 3. Emitter
KSA1203
Low Frequency Power Amplifier
3W Output application
Collector Power Dissipation P
C
=1~2W : Mounted on Ceramic Board
Complement to KSC2883
SOT-89
1
SGX
Marking
h
FE
grade
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KSA1220 | Audio Frequency Power Amplifier High Frequency Power Amplifier |
| KSA1220A | Audio Frequency Power Amplifier High Frequency Power Amplifier |
| KSA1241 | Power Amplifier Applications |
| KSA1242 | Medium Power Amplifier Camera Flash Applications |
| KSA1243 | Power Amplifier Applications |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KSA1203_05 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:PNP Epitaxial Silicon Transistor |
| KSA1203OTF | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP/30V/1.5mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| KSA1203OTF_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP/30V/1.5mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| KSA1203YTF | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| KSA1203YTF_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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