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參數資料
| 型號： | KST05 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Driver Transistor |
| 中文描述： | 500 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SOT-23, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 44K |
| 代理商： | KST05 |
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A2, November 2002
K
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Electrical Characteristics
T
a
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CEO
* Collector-Emitter Breakdown Voltage
* Pulse Test: PW
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
2%
Marking Code
Parameter
Value
Units
Collecto-Base Voltage
: KST05
: KST06
60
80
V
V
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
: KST05
: KST06
60
80
4
500
350
150
357
V
V
V
V
EBO
I
C
P
C
T
STG
R
TH
(j-a)
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Collector Power Dissipation
Storage Temperature
Thermal Resistance junction to Ambient
mA
mW
°
C
°
C/W
Test Condition
Min.
Max.
Units
: KST05
: KST06
I
C
=1mA, I
B
=0
60
80
4
V
V
V
BV
EBO
I
CBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
Collector Cut-off Current
I
E
=100
μ
A, I
C
=0
V
CB
=60V, I
E
=0
V
CB
=80V, I
E
=0
: KST05
: KST06
0.1
0.1
0.1
μ
A
μ
A
μ
A
I
CEO
h
FE
Collector Cut-off Current
DC Current Gain
V
CE
=60V, I
B
=0
V
CE
=1V, I
C
=10mA
V
CE
=1V, I
C
=100mA
I
C
=100mA, I
B
=10mA
V
CE
=1V, I
C
=100mA
V
CE
=2V, I
C
=100mA, f=100MHz
50
50
V
CE
(sat)
V
BE
(on)
f
T
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter On Voltage
Current Gain Bandwidth Product
0.25
1.2
V
V
100
MHz
Type
Mark
KST05
1H
KST06
1G
KST05/06
Driver Transistor
Collector-Emitter Voltage: V
CEO
= KST05: 60V
KST06: 80V
Collector Power Dissipation: P
C
(max) = 350mW
Complement to KST55/56
1H
Marking
1. Base 2. Emitter 3. Collector
SOT-23
1
2
3
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KST06 | Driver Transistor |
| KST2484 | Low Noise Transistor |
| KST2907A | General Purpose Transistor |
| KST63 | Darlington Transistor |
| KST64 | Darlington Transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| KST05MTF | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| KST05MTF_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| KST06 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Driver Transistor |
| KST06MTF | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| KST06MTF_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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