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參數資料
| 型號： | KST2484 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Low Noise Transistor |
| 中文描述： | 50 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 44K |
| 代理商： | KST2484 |
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A2, November 2002
K
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current
P
C
Collector Power Dissipation
T
STG
Storage Temperature
Refer to KSP5088 for graphs
Electrical Characteristics
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
BV
CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
BV
EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cut-off Current
I
EBO
Emitter Cut-off Current
h
FE
DC Current Gain
Parameter
Value
60
60
6
50
350
150
Units
V
V
V
mA
mW
°
C
Test Condition
I
C
=10
μ
A, I
E
=0
I
C
=10mA, I
B
=0
I
E
=10
μ
A, I
C
=0
V
CB
=45V, I
E
=0
V
EB
=5V, I
C
=0
V
CE
=5V, I
C
=1mA
V
CE
=5V, I
C
=10mA
I
C
=1mA, I
B
=0.1mA
I
C
=1mA, V
CE
=5V
V
CB
=5.0V, I
E
=0, f=1MHz,
I
C
=10
μ
A, V
CE
=5V
R
S
=10K
, f=1KHz
Min.
60
60
5
Max.
Units
V
V
V
nA
nA
10
10
250
800
0.35
0.95
6
3
V
CE
(sat)
V
BE
(on)
C
ob
NF
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter On Voltage
Output Capacitance
Noise Figure
V
V
pF
dB
KST2484
Low Noise Transistor
1U
Marking
1. Base 2. Emitter 3. Collector
SOT-23
1
2
3
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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