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參數資料
| 型號： | LFE18500X |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN silicon planar epitaxial microwave power transistor |
| 中文描述： | L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | CERAMIC, FO-231, 3 PIN |
| 文件頁數： | 3/10頁 |
| 文件大小： | 62K |
| 代理商： | LFE18500X |
December 1994
3
Philips Semiconductors
Product specification
NPN silicon planar epitaxial
microwave power transistor
LFE18500X
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
Note
1. Up to 0.2 mm from ceramic.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
65
MAX.
UNIT
V
CBO
V
CER
V
CEO
V
EBO
I
C
P
i
P
tot
T
stg
T
j
T
sld
collector-base voltage
collector-emitter voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
DC collector current
input power
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
soldering temperature
open emitter
R
BE
= 220
open base
open collector
45
30
22
3
12
20
120
+200
200
235
V
V
V
V
A
W
W
°
C
°
C
°
C
f = 1.85 GHz; V
CE
= 24 V; class AB
T
mb
= 75
°
C
t
≤
10 s; note 1
Fig.2 Power derating curve.
handbook, halfpage
Ptot
(W)
0
50
100
200
40
0
MLC430
150
Tmb
o
80
120
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