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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | LFE18500X |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN silicon planar epitaxial microwave power transistor |
| 中文描述： | L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | CERAMIC, FO-231, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/10頁(yè) |
| 文件大小： | 62K |
| 代理商： | LFE18500X |
December 1994
5
Philips Semiconductors
Product specification
NPN silicon planar epitaxial
microwave power transistor
LFE18500X
Fig.3 Prematching test circuit board.
The test circuit is split into two independent halves, each being 30 x 40 mm in size.
Dimensions in mm.
Substrate: Epsilam 10.
Thickness: 0.635 mm.
Permittivity:
ε
r
= 10.
handbook, full pagewidth
MLC434
30
40
30
40
5.0
7.0
7.0
2.0
2.0
4.0
3.5
4.0
3.0
2.0
3.0
2.0
0.695
0.695
15.2
1.0
1.0
5.2
6.0
2.0
1.5
1.5
4.0
2.0
VBB
VCC
C5
C6
L1
L2
C2
C3
C4
C7
C1
output
input
F1
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PDF描述 |
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