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參數資料
| 型號： | LFEC15E-3FN484C |
| 廠商： | Lattice Semiconductor Corporation |
| 文件頁數： | 68/163頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FPGA 10.2KLUTS 288I/O 484-BGA |
| 標準包裝： | 60 |
| 系列： | EC |
| 邏輯元件/單元數： | 15400 |
| RAM 位總計： | 358400 |
| 輸入/輸出數： | 352 |
| 電源電壓： | 1.14 V ~ 1.26 V |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 工作溫度： | 0°C ~ 85°C |
| 封裝/外殼： | 484-BBGA |
| 供應商設備封裝： | 484-FPBGA（23x23） |
| 其它名稱： | 220-1231 |
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2-13
Architecture
LatticeECP/EC Family Data Sheet
Memory Cascading
Larger and deeper blocks of RAM can be created using EBR sysMEM Blocks. Typically, the Lattice design tools
cascade memory transparently, based on specific design inputs.
Single, Dual and Pseudo-Dual Port Modes
Figure 2-15 shows the four basic memory configurations and their input/output names. In all the sysMEM RAM
modes the input data and address for the ports are registered at the input of the memory array. The output data of
the memory is optionally registered at the output.
Figure 2-15. sysMEM EBR Primitives
The EBR memory supports three forms of write behavior for single port or dual port operation:
1.
Normal – data on the output appears only during read cycle. During a write cycle, the data (at the current
address) does not appear on the output. This mode is supported for all data widths.
2.
Write Through – a copy of the input data appears at the output of the same port during a write cycle. This
mode is supported for all data widths.
3.
Read-Before-Write – when new data is being written, the old content of the address appears at the output.
This mode is supported for x9, x18 and x36 data widths.
Memory Core Reset
The memory array in the EBR utilizes latches at the A and B output ports. These latches can be reset asynchro-
nously or synchronously. RSTA and RSTB are local signals, which reset the output latches associated with Port A
and Port B, respectively. The Global Reset (GSRN) signal resets both ports. The output data latches and associ-
ated resets for both ports are as shown in Figure 2-16.
EBR
AD[12:0]
DI[35:0]
CLK
CE
RST
WE
CS[2:0]
DO[35:0]
Single Port RAM
EBR
True Dual Port RAM
Pseudo-Dual Port RAM
ROM
AD[12:0]
CLK
CE
DO[35:0]
RST
CS[2:0]
EBR
ADA[12:0]
DIA[17:0]
CLKA
CEA
RSTA
WEA
CSA[2:0]
DOA[17:0]
ADB[12:0]
DIB[17:0]
CLKB
CEB
RSTB
WEB
CSB[2:0]
DOB[17:0]
ADW[12:0]
DI[35:0]
CLKW
CEW
ADR[12:0]
DO[35:0]
CER
CLKR
WE
RST
CS[2:0]
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| REC3-1215DRW/H2/A | CONV DC/DC 3W 9-18VIN +/-15VOUT |
| DAPV15P565GTXLF | CONN DSUB PLUG 15POS R/A PCB |
| AIML-0603-100K-T | INDUCTOR MULTILAYER 10000NH 0603 |
| VE-B2W-CY-S | CONVERTER MOD DC/DC 5.5V 50W |
| REC3-1212DRW/H2/C | CONV DC/DC 3W 9-18VIN +/-12VOUT |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| LFEC15E-3FN484I | 功能描述:FPGA - 現場可編程門陣列 15.4K LUTs 352 I/O RoHS:否 制造商:Altera Corporation 系列:Cyclone V E 柵極數量: 邏輯塊數量:943 內嵌式塊RAM - EBR:1956 kbit 輸入/輸出端數量:128 最大工作頻率:800 MHz 工作電源電壓:1.1 V 最大工作溫度:+ 70 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:FBGA-256 |
| LFEC15E-3FN672C | 制造商:LATTICE 制造商全稱:Lattice Semiconductor 功能描述:LatticeECP/EC Family Data Sheet |
| LFEC15E-3FN672I | 制造商:LATTICE 制造商全稱:Lattice Semiconductor 功能描述:LatticeECP/EC Family Data Sheet |
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| LFEC15E-3Q208I | 制造商:LATTICE 制造商全稱:Lattice Semiconductor 功能描述:LatticeECP/EC Family Data Sheet |
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