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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MA3X730 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Silicon epitaxial planar type |
| 中文描述： | SILICON, UHF BAND, MIXER DIODE, TO-236 |
| 封裝： | SC-59, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 40K |
| 代理商： | MA3X730 |
1
Schottky Barrier Diodes (SBD)
MA3X730
Silicon epitaxial planar type
For UHF mixer
I
Features
Two MA2X707s are contained in the (Mini (3-pin) type)
Large conversion gain (GC)
Small forward voltage V
F
Optimum for the UHF band mixer
I
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Unit : mm
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Forward voltage (DC)
V
F
V
R
T
j
0.5
V
Reverse voltage (DC)
5
V
Junction temperature
125
°
C
°
C
Storage temperature
T
stg
55 to
+
125
Internal Connection
Marking Symbol: M2X
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Forward current (DC)
I
F
I
R
V
F
V
F
= 0.5 V
V
R
= 5 V
I
F
= 2 mA
I
R
= 1 mA
V
R
= 0.5 V, f
= 1 MHz
35
100
mA
Reverse current (DC)
35
μ
A
Forward voltage (DC)
0.25
V
Reverse breakdown voltage (DC)
V
(BR)R
C
t
5
V
Terminal capacitance
0.65
0.85
1.05
pF
Conversion gain
*1,2
GC
R
F
= 890 MHz, L
O
= 935 MHz
I
F
= 45 MHz
7
5
dB
Static breakdown strength
C = 100 pF, Breakdown judgment
point I
R
≥
35
μ
A
100
200
V
I
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
Note) 1. Schottky barrier diode is sensitive to electric shock (static electricity, etc.). Due attention must be paid on the charge of a
human body and the leakage of current from the operating equipment
2. Rated input/output frequency: 935 MHz
3. Noise index is 8.5 dB
4. Each characteristic is a standard for individual diodes
5. *1: Judgement is to be made per each chip lot. Sampling of LTPD = 20% and n = 11 is guaranteed.
*2: Set min. GC =
7 dB. Out-spec products, if any, this specification would be reviewed
2.8
+
0.2
0.3
+
0.25
1.5
0.65
±
0.15
0.65
±
0.15
3
1
2
0
0
1
±
0
0
+
0
0
1
+
0
0
0
0.4
±
0.2
0
0
+
0
0
1
0.1 to 0.3
2
+
0
0
1
3
2
JEDEC : TO-236
EIAJ : SC-59
Mini Type Package (3-pin)
1 : Anode 1
2 : Cathode 2
3 : Cathode 1
Anode 2
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