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參數(shù)資料
| 型號： | MA3X789 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Silicon epitaxial planar type |
| 中文描述： | 0.5 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, MINI3-G1, SC-59, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 45K |
| 代理商： | MA3X789 |
1
Schottky Barrier Diodes (SBD)
MA3X789
Silicon epitaxial planar type
For super-high speed switching circuit
For small current rectification
I
Features
Allowing to rectify under (I
F(AV)
= 200 mA) condition
Reverse voltage V
R
(DC value) = 60 V guaranteed
I
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Unit : mm
Marking Symbol: M3W
Note) * : The peak-to-peak value in one cycle of 50 Hz sine-wave
(non-repetitive)
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Reverse voltage (DC)
V
R
V
RM
60
V
Peak reverse voltage
60
V
Average forward current
I
F(AV)
500
mA
Non-repetitive peak forward
surge current
*
I
FSM
2
A
Junction temperature
T
j
T
stg
125
°
C
°
C
Storage temperature
55 to
+
125
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Reverse current (DC)
I
R
V
R
= 50 V
I
F
= 500 mA
V
R
= 0 V, f
= 1 MHz
100
μ
A
Forward voltage (DC)
V
F
C
t
0.65
V
Terminal capacitance
60
pF
Reverse recovery time
*
t
rr
I
F
= I
R
= 100 mA
I
rr
= 10 mA, R
L
= 100
4.5
ns
I
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
Note) 1. Schottky barrier diode is sensitive to electric shock (static electricity, etc.). Due attention must be paid on the charge of a
human body and the leakage of current from the operating equipment.
2. Rated input/output frequency: 100 MHz
3. * : t
rr
measuring circuit
JEDEC : TO-236
EIAJ : SC-59
Mini Type Package (3-pin)
Internal Connection
1 : Anode
2 : NC
3 : Cathode
1
2
3
2.8
+
0.2
0.3
+
0.25
1.5
0.65
±
0.15
0.65
±
0.15
3
1
2
0
0
1
±
0
0
+
0
0
1
+
0
0
0
0.4
±
0.2
0
0
+
0
0
1
0.1 to 0.3
2
+
0
0
Bias Application Unit N-50BU
90%
Pulse Generator
(PG-10N)
R
s
=
50
W.F.Analyzer
(SAS-8130)
R
i
=
50
t
p
=
2
μ
s
t
r
=
0.35 ns
δ
=
0.05
I
F
=
100 mA
I
R
=
100 mA
R
L
=
100
10%
Input Pulse
Output Pulse
I
=
10 mA
t
r
t
p
t
rr
V
R
I
F
t
t
A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MA3X791 | Silicon epitaxial planar type |
| MA3XD11 | Silicon epitaxial planar type |
| MA3XD21 | Silicon epitaxial planar type |
| MA3Z080D | Silicon epitaxial planar type |
| MA3Z080E | Silicon epitaxial planar type |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MA3X78900L | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 60V 500MA MINI RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標準包裝:100 系列:- 二極管類型:標準 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應(yīng)商設(shè)備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879 |
| MA3X791 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon epitaxial planar type |
| MA3XD11 | 制造商:KEXIN 制造商全稱:Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 功能描述:Schottky Barrier Diodes |
| MA3XD1100L | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 20V 1A MINI 3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標準包裝:100 系列:- 二極管類型:標準 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應(yīng)商設(shè)備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879 |
| MA3XD14E | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon epitaxial planar type (cathode common) |
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