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參數資料
| 型號： | MJ21195 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
| 中文描述： | 16 A, 250 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
| 封裝： | CASE 1-07, TO-3, 2 PIN |
| 文件頁數： | 5/6頁 |
| 文件大小： | 149K |
| 代理商： | MJ21195 |
5
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Figure 14. MJ21195 Typical Capacitance
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
C
Figure 15. MJ21196 Typical Capacitance
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
C
AUDIO PRECISION
MODEL ONE PLUS
TOTAL HARMONIC
DISTORTION
ANALYZER
SOURCE
AMPLIFIER
50
0.5
0.5
8.0
–50 V
DUT
DUT
+50 V
Figure 16. Typical Total Harmonic Distortion
Figure 17. Total Harmonic Distortion Test Circuit
FREQUENCY (Hz)
TH
D
10000
1000
100
100
10
1.0
0.1
10000
1000
100
100
10
1.0
0.1
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
100000
10000
1000
100
10
TJ = 25
°
C
ftest = 1 MHz
Cib
Cob
TJ = 25
°
C
ftest = 1 MHz
Cib
Cob
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJ21196 | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
| MJ3281A | 15 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 200 VOLTS 250 WATTS |
| MJ1302A | COMEPLEMENTARY NPN-PNP SILICON POWER BOPOLAR TRANSISTOR |
| MJB44H11 | Card Edge Connector; No. of Contacts:44; Pitch Spacing:0.156"; Contact Termination:Solder; Leaded Process Compatible:Yes; Mounting Hole Dia:0.128" RoHS Compliant: Yes |
| MJB44H11T4 | Complementary Power Transistors |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MJ21195_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Silicon Power Transistors |
| MJ21195G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 16A 250V 250W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJ21196 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 16A 250V 250W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJ21196G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 16A 250V 250W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJ21294 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:NPN Silicon Power Transistor |
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