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參數資料
| 型號： | MJL4281A |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Complementary NPN-PNP Silicon Power Bipolar Transistors |
| 中文描述： | 15 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-264AA |
| 封裝： | CASE 340G-02, TO-3PBL, 3 PIN |
| 文件頁數： | 3/6頁 |
| 文件大小： | 55K |
| 代理商： | MJL4281A |
MJL4281A (NPN) MJL4302A (PNP)
http://onsemi.com
3
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
100
h
T
J
= 100
°
C
T
J
= 25
°
C
Figure 1. DC Current Gain, V
CE
= 5 V,
NPN MJL4281A
I
C
, COLLECTOR CURRENT (A)
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
100
h
Figure 2. DC Current Gain, V
CE
= 5 V,
PNP MJL4302A
I
C
, COLLECTOR CURRENT (A)
T
J
= 100
°
C
T
J
= 25
°
C
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
100
h
Figure 3. DC Current Gain, V
CE
= 20 V,
NPN MJL4281A
I
C
, COLLECTOR CURRENT (A)
T
J
= 100
°
C
T
J
= 25
°
C
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
100
h
Figure 4. DC Current Gain, V
CE
= 20 V,
PNP MJL4302A
I
C
, COLLECTOR CURRENT (A)
T
J
= 100
°
C
T
J
= 25
°
C
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0.01
0.1
1
10
100
Figure 5. Typical Saturation Voltage,
NPN MJL4281A
I
C
, COLLECTOR CURRENT (A)
S
T
J
= 25
°
C
I
c
/I
b
= 10
V
be(sat)
V
ce(sat)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
0.01
0.1
1
10
100
Figure 6. Typical Saturation Voltage,
PNP MJL4302A
I
C
, COLLECTOR CURRENT (A)
S
T
J
= 25
°
C
I
c
/I
b
= 10
V
be(sat)
V
ce(sat)
TYPICAL CHARACTERISTICS
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| MJL4281AG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 15A 350V 230W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJL4281AG | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR NPN 350V |
| MJL4302A | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 15A 350V 230W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJL4302AG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 15A 350V 230W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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