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參數(shù)資料
| 型號： | MJL4281A |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Complementary NPN-PNP Silicon Power Bipolar Transistors |
| 中文描述： | 15 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-264AA |
| 封裝： | CASE 340G-02, TO-3PBL, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 5/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 55K |
| 代理商： | MJL4281A |
MJL4281A (NPN) MJL4302A (PNP)
http://onsemi.com
5
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 340G02
ISSUE H
TO3PBL (TO264)
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
N
P
Q
R
U
W
MIN
28.0
19.3
4.7
0.93
1.9
2.2
5.45 BSC
2.6
0.43
17.6
11.0
3.95
2.2
3.1
2.15
6.1
2.8
MAX
29.0
20.3
5.3
1.48
2.1
2.4
MIN
1.102
0.760
0.185
0.037
0.075
0.087
0.215 BSC
0.102
0.017
0.693
0.433
0.156
0.087
0.122
0.085
0.240
0.110
MAX
1.142
0.800
0.209
0.058
0.083
0.102
INCHES
MILLIMETERS
3.0
0.78
18.8
11.4
4.75
2.6
3.5
2.35
6.5
3.2
0.118
0.031
0.740
0.449
0.187
0.102
0.137
0.093
0.256
0.125
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
0.25 (0.010)
M
T B
M
J
H
R
N
U
L
P
A
K
C
E
F
D
G
W
2 PL
3 PL
0.25 (0.010)
M
Y Q
S
1
2
3
B
Q
Y
T
STYLE 2:
PIN 1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJL4302A | Complementary NPN-PNP Silicon Power Bipolar Transistors |
| MJW1302A | Complementary NPN-PNP Silicon Power Bipolar Transistors |
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| MJW18020 | NPN Silicon Power Transistors High Voltage Planar |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| MJL4281AG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 15A 350V 230W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJL4281AG | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR NPN 350V |
| MJL4302A | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 15A 350V 230W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJL4302AG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 15A 350V 230W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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