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參數(shù)資料
| 型號： | MJL4281A |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Complementary NPN-PNP Silicon Power Bipolar Transistors |
| 中文描述： | 15 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-264AA |
| 封裝： | CASE 340G-02, TO-3PBL, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 4/6頁 |
| 文件大小： | 55K |
| 代理商： | MJL4281A |
MJL4281A (NPN) MJL4302A (PNP)
http://onsemi.com
4
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.01
0.1
1
10
100
Figure 7. Typical BaseEmitter Voltages,
NPN MJL4281A
I
C
, COLLECTOR CURRENT (A)
V
B
,
(
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0.01
0.1
1
10
100
V
B
,
(
I
C
, COLLECTOR CURRENT (A)
Figure 8. Typical BaseEmitter Voltages,
PNP MJL4302A
0
10
20
30
40
50
60
70
0.1
1
10
Figure 9. Typical Current Gain Bandwidth Product,
NPN MJL4281A
I
C
, COLLECTOR CURRENT (A)
f
V
CE
= 5 V
T
J
= 25
°
C
f
test
= 1 MHz
V
CE
= 10 V
0
10
20
30
40
50
60
70
0.1
1
10
T
J
= 25
°
C
f
test
= 1 MHz
V
CE
= 5 V
V
CE
= 10 V
f
0.01
0.1
1
10
100
1
10
100
1000
I
C
,
V
ce
, COLLECTOREMITTER VOLTAGE (V)
Figure 11. Active Region Safe Operating Area,
NPN MJL4281A
10 mS
100 mS
1 Sec
T
J
= 25
°
C
0.01
0.1
1
10
100
1
10
100
1000
I
C
,
V
ce
, COLLECTOREMITTER VOLTAGE (V)
Figure 12. Active Region Safe Operating Area,
PNP MJL4302A
10 mS
100 mS
1 Sec
T
J
= 25
°
C
Figure 10. Typical Current Gain Bandwidth Product,
PNP MJL4302A
TYPICAL CHARACTERISTICS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJL4302A | Complementary NPN-PNP Silicon Power Bipolar Transistors |
| MJW1302A | Complementary NPN-PNP Silicon Power Bipolar Transistors |
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| MJW18020 | NPN Silicon Power Transistors High Voltage Planar |
| MJW21193 | Silicon Power Transistors |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MJL4281A_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:15 AMPERES COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 350 VOLTS, 230 WATTS |
| MJL4281AG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 15A 350V 230W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJL4281AG | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR NPN 350V |
| MJL4302A | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 15A 350V 230W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJL4302AG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 15A 350V 230W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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