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參數(shù)資料
| 型號： | MJW21194 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Silicon Power Transistors |
| 中文描述： | 16 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247 |
| 封裝： | CASE 340L-02, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/8頁 |
| 文件大小： | 75K |
| 代理商： | MJW21194 |
MJW21193 (PNP) MJW21194 (NPN)
http://onsemi.com
3
Figure 3. DC Current Gain, VCE = 20 V
Figure 4. DC Current Gain, VCE = 20 V
Figure 5. DC Current Gain, VCE = 5 V
Figure 6. DC Current Gain, VCE = 5 V
hF
IC COLLECTOR CURRENT (AMPS)
IC COLLECTOR CURRENT (AMPS)
hF
hF
IC COLLECTOR CURRENT (AMPS)
IC COLLECTOR CURRENT (AMPS)
VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Typical Output Characteristics
I
VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 8. Typical Output Characteristics
I
PNP MJW21193
NPN MJW21194
hF
TYPICAL CHARACTERISTICS
PNP MJW21193
PNP MJW21193
NPN MJW21194
NPN MJW21194
1000
100
10
100
10
1.0
0.1
1000
100
10
100
10
1.0
0.1
1000
100
10
100
10
1.0
0.1
1000
100
10
100
10
1.0
0.1
30
0
25
20
15
10
5.0
0
5.0
10
15
20
25
35
0
30
25
20
15
5.0
0
5.0
10
15
20
25
10
VCE = 20 V
TJ = 100
°
C
25
°
C
-25
°
C
VCE = 20 V
TJ = 100
°
C
25
°
C
-25
°
C
TJ = 100
°
C
25
°
C
-25
°
C
VCE = 5 V
TJ = 100
°
C
25
°
C
-25
°
C
VCE = 20 V
TJ = 25
°
C
TJ = 25
°
C
1.5 A
IB = 2 A
1 A
0.5 A
IB = 2 A
1.5 A
1 A
0.5 A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJW21195 | Silicon Power Transistors |
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參數(shù)描述 |
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| MJW21194G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Transistor |
| MJW21195 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 16A 250V 200W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJW21195_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:16 AMPERES COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 250 VOLTS, 200 WATTS |
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