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參數資料
| 型號： | MJW21194 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Silicon Power Transistors |
| 中文描述： | 16 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247 |
| 封裝： | CASE 340L-02, 3 PIN |
| 文件頁數： | 4/8頁 |
| 文件大小： | 75K |
| 代理商： | MJW21194 |
MJW21193 (PNP) MJW21194 (NPN)
http://onsemi.com
4
VB
Figure 9. Typical Saturation Voltages
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
S
Figure 10. Typical Saturation Voltages
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
S
Figure 11. Typical Base–Emitter Voltage
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 12. Typical Base–Emitter Voltage
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
VB
PNP MJW21193
NPN MJW21194
TYPICAL CHARACTERISTICS
PNP MJW21193
NPN MJW21194
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
100
10
1.0
0.1
1.4
100
10
1.0
0.1
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
10
100
10
1.0
0.1
1.0
0.1
10
100
10
1.0
0.1
1.0
0.1
TJ = 25
°
C
IC/IB = 10
VBE(sat)
VCE(sat)
TJ = 25
°
C
IC/IB = 10
VBE(sat)
VCE(sat)
TJ = 25
°
C
VCE = 20 V (SOLID)
VCE = 5 V (DASHED)
TJ = 25
°
C
VCE = 20 V (SOLID)
VCE = 5 V (DASHED)
Figure 13. Active Region Safe Operating Area
VCE, COLLECTOR EMITTER (VOLTS)
Figure 14. Active Region Safe Operating Area
PNP MJW21193
NPN MJW21194
100
1000
10
1.0
1.0
0.1
100
10
I
100 mSec
10 mSec
1 Sec
VCE, COLLECTOR EMITTER (VOLTS)
100
1000
10
1.0
1.0
0.1
100
10
I
100 mSec
10 mSec
1 Sec
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJW21195 | Silicon Power Transistors |
| MK4116 | 16,384 X 1 BIT DYNAMIC RAM |
| MK4116P-2 | 16,384 X 1 BIT DYNAMIC RAM |
| MK4116P-3 | 16,384 X 1 BIT DYNAMIC RAM |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| MJW21194G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Transistor |
| MJW21195 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 16A 250V 200W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJW21195_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:16 AMPERES COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 250 VOLTS, 200 WATTS |
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