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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MJW21194 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Silicon Power Transistors |
| 中文描述： | 16 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247 |
| 封裝： | CASE 340L-02, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/8頁(yè) |
| 文件大小： | 75K |
| 代理商： | MJW21194 |
MJW21193 (PNP) MJW21194 (NPN)
http://onsemi.com
6
AUDIO PRECISION
MODEL ONE PLUS
TOTAL HARMONIC
DISTORTION
ANALYZER
SOURCE
AMPLIFIER
50
0.5
0.5
8.0
-50 V
DUT
DUT
+50 V
Figure 18. Total Harmonic Distortion Test Circuit
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJW21195 | Silicon Power Transistors |
| MK4116 | 16,384 X 1 BIT DYNAMIC RAM |
| MK4116P-2 | 16,384 X 1 BIT DYNAMIC RAM |
| MK4116P-3 | 16,384 X 1 BIT DYNAMIC RAM |
| MK48256 | 32K x 8 CMOS STATIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MJW21194G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 16A 250V 200W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJW21194G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Transistor |
| MJW21195 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 16A 250V 200W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJW21195_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:16 AMPERES COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 250 VOLTS, 200 WATTS |
| MJW21195_10 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Silicon Power Transistors |
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