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參數資料
| 型號： | MMFT5P03HD |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 3.7 A, 30 V, 0.1 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261AA |
| 封裝： | CASE 318E-04, 4 PIN |
| 文件頁數： | 8/12頁 |
| 文件大小： | 198K |
| 代理商： | MMFT5P03HD |
8
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Figure 14. Thermal Response
Figure 15. Diode Reverse Recovery Waveform
di/dt
trr
ta
tp
IS
0.25 IS
TIME
IS
tb
t, TIME (s)
0.1
0.01
0.001
D = 0.5
SINGLE PULSE
1.0E–05
1.0E–04
1.0E–03
1.0E–02
1.0E–01
1.0E+00
1.0E+01
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1.0E+02
1.0E+03
0.0001
1
R
T
°
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMFT5P03HDT3 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| MMFT5P03HD | TMOS MEDIUM POWER FET 5.2 AMPERES 30 VOLTS |
| MMG05N60D | POWERLUX IGBT |
| MMG05N60D | Insulated Gate Bipolar Transistor |
| MMPQ2222 | Quad General Purpose Transistors |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MMFT5P03HDT1 | 功能描述:MOSFET P-CH 30V 3.7A SOT223 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| MMFT5P03HDT3 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:TMOS P-CHANNEL FIELD FEECT TRANSISTOR |
| MMFT6N03HD | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:TMOS POWER 6.0 AMPERES 30 VOLTS |
| MMFT960T1 | 功能描述:MOSFET 60V 300mA N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| MMFT960T1_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 300 mA, 60 Volts N−Channel SOT−223 |
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