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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MMFT5P03HD |
| 廠商： | Motorola, Inc. |
| 英文描述： | TMOS MEDIUM POWER FET 5.2 AMPERES 30 VOLTS |
| 中文描述： | TMOS是中功率場(chǎng)效應(yīng)管5.2安培30伏 |
| 文件頁數(shù)： | 11/12頁 |
| 文件大小： | 198K |
| 代理商： | MMFT5P03HD |
11
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 318E–04
ISSUE H
H
S
F
A
B
D
G
L
4
1
2
3
0.08 (0003)
C
M
K
J
DIM
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
M
S
MIN
0.249
0.130
0.060
0.024
0.115
0.087
0.0008
0.009
0.060
0.033
MAX
0.263
0.145
0.068
0.035
0.126
0.094
0.0040
0.014
0.078
0.041
10
0.287
MIN
6.30
3.30
1.50
0.60
2.90
2.20
0.020
0.24
1.50
0.85
MAX
6.70
3.70
1.75
0.89
3.20
2.40
0.100
0.35
2.00
1.05
10
7.30
MILLIMETERS
INCHES
0
0
0.264
6.70
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
STYLE 3:
PIN 1.
GATE
DRAIN
SOURCE
DRAIN
2.
3.
4.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMFT5P03HDT1 | 功能描述:MOSFET P-CH 30V 3.7A SOT223 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| MMFT5P03HDT3 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:TMOS P-CHANNEL FIELD FEECT TRANSISTOR |
| MMFT6N03HD | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:TMOS POWER 6.0 AMPERES 30 VOLTS |
| MMFT960T1 | 功能描述:MOSFET 60V 300mA N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| MMFT960T1_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 300 mA, 60 Volts N−Channel SOT−223 |
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