- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄98034 > MPSH81 (ON SEMICONDUCTOR) Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 PDF資料下載
參數資料
| 型號： | MPSH81 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/35頁 |
| 文件大小： | 320K |
| 代理商： | MPSH81 |
當前第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁
2–673
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
RF Amplifier Transistor
PNP Silicon
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Collector – Emitter Voltage
VCEO
–20
Vdc
Collector – Base Voltage
VCBO
–20
Vdc
Emitter – Base Voltage
VEBO
–3.0
Vdc
Total Device Dissipation @ TA = 25°C
Derate above 25
°C
PD
350
2.81
mW
mW/
°C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg
– 55 to +150
°C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RqJA
357
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector – Emitter Breakdown Voltage
(IC = –1.0 mAdc, IB = 0)
V(BR)CEO
–20
—
Vdc
Collector – Base Breakdown Voltage
(IC = –10 mAdc, IE = 0)
V(BR)CBO
–20
—
Vdc
Emitter – Base Breakdown Voltage
(IE = –10 mAdc, IC = 0)
V(BR)EBO
–3.0
—
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCB = –10 Vdc, IE = 0)
ICBO
—
–100
nAdc
Emitter Cutoff Current
(VEB = –2.0 Vdc, IC = 0)
IEBO
—
–100
nAdc
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
MPSH81
Motorola Preferred Device
CASE 29–04, STYLE 2
TO–92 (TO–226AA)
1
2
3
COLLECTOR
3
1
BASE
2
EMITTER
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSL01ZL1 | 150 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSL01RLRA | 150 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSL01RL1 | 150 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSL01RLRM | 150 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSL01RLRE | 150 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MPSH81 D26Z | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Trans GP BJT PNP 20V 0.05A 3-Pin TO-92 T/R 制造商:Fairchild Semiconductor 功能描述:Trans GP BJT PNP 20V 0.05A 3-Pin TO-92 T/R |
| MPSH81/D75Z | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| MPSH81_D26Z | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 PNP RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| MPSH81_D27Z | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 PNP RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| MPSH81_D75Z | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 PNP RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。