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參數資料
| 型號： | MPSH81 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN |
| 文件頁數： | 34/35頁 |
| 文件大?。?/td> | 320K |
| 代理商： | MPSH81 |
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Tape and Reel Specifications
6–4
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
EMBOSSED TAPE AND REEL DATA FOR DISCRETES
A
Full Radius
T Max
G
20.2 mm Min
(.795
″)
1.5 mm Min
(.06
″)
13.0 mm
± 0.5 mm
(.512
″ ± .002″)
50 mm Min
(1.969
″)
Outside Dimension
Measured at Edge
Inside Dimension
Measured Near Hub
Size
A Max
G
T Max
8 mm
330 mm
(12.992
″)
8.4 mm + 1.5 mm, – 0.0
(.33
″ + .059″, –0.00)
14.4 mm
(.56
″)
12 mm
330 mm
(12.992
″)
12.4 mm + 2.0 mm, – 0.0
(.49
″ + .079″, –0.00)
18.4 mm
(.72
″)
16 mm
360 mm
(14.173
″)
16.4 mm + 2.0 mm, – 0.0
(.646
″ + .078″, –0.00)
22.4 mm
(.882
″)
24 mm
360 mm
(14.173
″)
24.4 mm + 2.0 mm, – 0.0
(.961
″ + .070″, –0.00)
30.4 mm
(1.197
″)
Reel Dimensions
Metric Dimensions Govern — English are in parentheses for reference only
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSL01ZL1 | 150 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSL01RLRA | 150 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSL01RL1 | 150 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSL01RLRM | 150 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSL01RLRE | 150 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MPSH81 D26Z | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Trans GP BJT PNP 20V 0.05A 3-Pin TO-92 T/R 制造商:Fairchild Semiconductor 功能描述:Trans GP BJT PNP 20V 0.05A 3-Pin TO-92 T/R |
| MPSH81/D75Z | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| MPSH81_D26Z | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 PNP RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| MPSH81_D27Z | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 PNP RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| MPSH81_D75Z | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 PNP RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
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