- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄98036 > MRF21125SR3 (FREESCALE SEMICONDUCTOR INC) S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET PDF資料下載
參數資料
| 型號： | MRF21125SR3 |
| 廠商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, NI-880S, CASE 465C-02, 2 PIN |
| 文件頁數： | 6/12頁 |
| 文件大小： | 437K |
| 代理商： | MRF21125SR3 |
MRF21125R3 MRF21125SR3
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Table 4. Electrical Characteristics (TC = 25°C unless otherwise noted) (continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Typical Two-Tone Performance (In Freescale Test Fixture)
Common-Source Amplifier Power Gain
(VDD = 28 Vdc, Pout = 125 W PEP, IDQ = 1600 mA, f1 = 2110 MHz,
f2 = 2120 MHz and f1 = 2160 MHz, f2 = 2170 MHz)
Gps
—
12
—
dB
Drain Efficiency
(VDD = 28 Vdc, Pout = 125 W PEP, IDQ = 1600 mA, f1 = 2110 MHz,
f2 = 2120 MHz and f1 = 2160 MHz, f2 = 2170 MHz)
η
—
34
—
%
Intermodulation Distortion
(VDD = 28 Vdc, Pout = 125 W PEP, IDQ = 1600 mA, f1 = 2110 MHz,
f2 = 2120 MHz and f1 = 2160 MHz, f2 = 2170 MHz)
IMD
—
-30
—
dBc
Typical CW Performance
Common-Source Amplifier Power Gain
(VDD = 28 Vdc, Pout = 125 W CW, IDQ = 1600 mA, f1 = 2170.0 MHz)
Gps
—
11.5
—
dB
Drain Efficiency
(VDD = 28 Vdc, Pout = 125 W CW, IDQ = 1600 mA, f = 2170.0 MHz)
η
—
46
—
%
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF21180S | 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF21180S | 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF275G | 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF282SR1 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF282ZR1 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MRF21180 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor |
| MRF21180R6 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor |
| MRF21180R6_06 | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor |
| MRF212 | 功能描述:射頻放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點:37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數:0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel |
| MRF221 | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:25 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。