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參數資料
| 型號： | MRF275G |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封裝： | CASE 375-04, 4 PIN |
| 文件頁數： | 9/16頁 |
| 文件大小： | 262K |
| 代理商： | MRF275G |
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS (1)
Drain–Source Breakdown Voltage
(VGS = 0, ID = 50 mA)
V(BR)DSS
65
—
Vdc
Zero Gate Voltage Drain Current
(VDS = 28 V, VGS = 0)
IDSS
—
1
mA
Gate–Source Leakage Current
(VGS = 20 V, VDS = 0)
IGSS
—
1
A
ON CHARACTERISTICS (1)
Gate Threshold Voltage (VDS = 10 V, ID = 100 mA)
VGS(th)
1.5
2.5
4.5
Vdc
Drain–Source On–Voltage (VGS = 10 V, ID = 5 A)
VDS(on)
0.5
0.9
1.5
Vdc
Forward Transconductance (VDS = 10 V, ID = 2.5 A)
gfs
3
3.75
—
mhos
DYNAMIC CHARACTERISTICS (1)
Input Capacitance (VDS = 28 V, VGS = 0, f = 1 MHz)
Ciss
—
135
—
pF
Output Capacitance (VDS = 28 V, VGS = 0, f = 1 MHz)
Coss
—
140
—
pF
Reverse Transfer Capacitance (VDS = 28 V, VGS = 0, f = 1 MHz)
Crss
—
17
—
pF
FUNCTIONAL CHARACTERISTICS (2) (Figure 1)
Common Source Power Gain
(VDD = 28 V, Pout = 150 W, f = 500 MHz, IDQ = 2 x 100 mA)
Gps
10
11.2
—
dB
Drain Efficiency
(VDD = 28 V, Pout = 150 W, f = 500 MHz, IDQ = 2 x 100 mA)
η
50
55
—
%
Electrical Ruggedness
(VDD = 28 V, Pout = 150 W, f = 500 MHz, IDQ = 2 x 100 mA,
VSWR 30:1 at all Phase Angles)
ψ
No Degradation in Output Power
1. Each side of device measured separately.
2. Measured in push–pull configuration.
2
REV 1
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