型號: | MSA1162GT1 |
廠商: | ON SEMICONDUCTOR |
元件分類: | 小信號晶體管 |
英文描述: | General Purpose Amplifier Transistors |
中文描述: | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
封裝: | CASE 318D-04, SC-59, 3 PIN |
文件頁數(shù): | 4/4頁 |
文件大小: | 44K |
代理商: | MSA1162GT1 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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MSA1162YT1 | CONV DC-DC 48V IN 2.5V OUT 15W |
MSA28 | MOLDED SSOP |
MSC16 | MOLDED PACKAGE SSOP, EIAJ |
MSC2295-BT1G | NPN RF Amplifier Transistors Surface Mount |
MSC2295-CT1G | NPN RF Amplifier Transistors Surface Mount |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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MSA1162GT1_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Amplifier Transistors |
MSA1162GT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 60V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MSA1162YT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 60V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MSA1162YT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 60V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MSA1205MD-3W | 制造商:MORNSUN 制造商全稱:MORNSUN 功能描述:DUAL/SINGLE OUTPUT DIP DC-DC CONVERTER |