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參數(shù)資料
| 型號： | MSD2714AT1G |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | VHF/UHF Transistor |
| 中文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | LEAD FREE, CASE 318D, SC-59, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 61K |
| 代理商： | MSD2714AT1G |
MSD2714AT1
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
CollectorEmitter Breakdown Voltage
(I
C
= 1.0 mAdc, I
B
= 0)
V
(BR)CEO
25
Vdc
CollectorBase Breakdown Voltage
(I
C
= 10 Adc, I
E
= 0)
V
(BR)CBO
30
Vdc
EmitterBase Breakdown Voltage
(I
E
= 10 Adc, I
C
= 0)
V
(BR)EBO
3.0
Vdc
Collector Cutoff Current
(V
CB
= 35 Vdc, I
E
= 0)
I
CBO
500
nAdc
Emitter Cutoff Current
(V
EB
= 3.5 Vdc, I
C
= 0)
I
EBO
500
nAdc
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain
(I
C
= 1.0 mAdc, V
CE
= 6.0 Vdc)
h
FE
90
180
BaseEmitter On Voltage
(I
C
= 4.0 mAdc, V
CE
= 10 Vdc)
V
BE
0.95
Vdc
SMALLSIGNAL CHARACTERISTICS
CurrentGain Bandwidth Product
(I
C
= 4.0 mAdc, V
CE
= 10 Vdc, f = 100 MHz)
f
T
650
MHz
CollectorBase Capacitance
(V
CB
= 10 Vdc, I
E
= 0, f = 1.0 MHz)
C
cb
0.7
pF
CommonBase Feedback Capacitance
(V
CB
= 10 Vdc, I
E
= 0, f = 1.0 MHz)
C
rb
0.65
pF
Collector Base Time Constant
(I
C
= 4.0 mAdc, V
CB
= 10 Vdc, f = 31.8 MHz)
rb
′
C
c
9.0
ps
TYPICAL CHARACTERISTICS
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 1. Rectangular Form
g
ib
(mmhos)
Figure 2. Polar Form
0
20
40
60
0
80
100
70
60
50
40
30
20
0
10
30
50
70
10
10
200
300
400
500
700
1000
80
20
30
40
50
60
1000 MHz
100
200
400
700
g
ib
b
ib
j
i
,
i
y
COMMONBASE y PARAMETERS versus FREQUENCY
(V
CB
= 10 Vdc, I
C
= 4.0 mAdc, T
A
= 25
°
C)
y
ib
, INPUT ADMITTANCE
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