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參數資料
| 型號： | MTM55N10 |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| 中文描述： | 55 A, 100 V, 0.04 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AE |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 202K |
| 代理商： | MTM55N10 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MTM60N06 | N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| MTP1302 | TMOS POWER FET 42 AMPERES 30 VOLTS RDS(on) = 22 mohm |
| MTP1306 | TMOS POWER FET 75 AMPERES 30 VOLTS RDS(on) = 0.0065 OHM |
| MTP15N06V | TMOS POWER FET 15 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.12 OHM |
| MTV32N20E | TMOS POWER FET 32 AMPERES 200 VOLTS RDS(on) = 0.075 OHM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MTM5N35 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFETs, 5.5A, 350 V/400V |
| MTM5N40 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFETs, 5.5A, 350 V/400V |
| MTM60N06 | 制造商:Motorola 功能描述:TO-204AE, MOSFET 60A 60V |
| MTM684100LBF | 功能描述:MOSFET PCH MOS FET FLT LD 2.9x2.8mm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| MTM684110LBF | 功能描述:MOSFET PCH+PCH MOS FET FLT LD 2.9x2.8mm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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