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參數(shù)資料
型號(hào): NIS5112D1R2G
廠商: ON Semiconductor
文件頁(yè)數(shù): 6/9頁(yè)
文件大小: 410K
描述: IC ELECTRONIC FUSE HOTSWAP 8SOIC
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
功能: 電子保險(xiǎn)絲
輸入電壓: 9 V ~ 18 V
電流 - 輸出: 2A
工作溫度: -40°C ~ 175°C
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 8-SOICN
包裝: 剪切帶 (CT)
其它名稱: NIS5112D1R2GOSCT
NIS5112
http://onsemi.com
6
Figure 7. Turnon Waveforms for an Overvoltage Condition (10 W Resistive Load)
Load Current
Input Voltage
V
out
 Regulated at 15 V
Figure 8. Current Waveforms for Overload, Short Circuit and Thermal Shutdown
10 ms/div
(2 V/div)
(1 A/div)
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PDF描述
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