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PMPB15XP115

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PMPB15XP115
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
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DFN
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PMPB15XP115
深圳市澤芯微科技有限公司
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聯系人：柯小姐
電話：0755-8273028382732023
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PMPB15XP115 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

PMPB15XP115 技術參數

PMPB15XP,115 功能描述:MOSFET P-CH 12V 8.2A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:12V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:8.2A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:100nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2875pF @ 6V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.7W（Ta），12.5W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:19 毫歐 @ 8.2A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:6-DFN2020MD（2x2）封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤標準包裝:1 PMPB15XN,115 功能描述:MOSFET N-CH 20V 7.3A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:Digi-Key 停止供應 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:7.3A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:20.2nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1240pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.7W（Ta），12.5W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:21 毫歐 @ 7.3A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:6-DFN2020MD（2x2）封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤標準包裝:1 PMPB13XNE,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 8A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:Digi-Key 停止供應 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:8A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:36nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2195pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.7W（Ta），12.5W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:16 毫歐 @ 8A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:6-DFN2020MD（2x2）封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤標準包裝:1 PMPB12UNEX 功能描述:MOSFET N-CH 20V 11.4A 6DFN2020MD 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:11.4A (Ta) 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:17nC @ 10V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1220pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:470mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:16 毫歐 @ 7.9A, 4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:6-DFN2020MD（2x2）封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤標準包裝:1 PMPB12UN,115 功能描述:MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:7.9A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:18 毫歐 @ 7.9A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:13nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:886pF @ 10V 功率 - 最大值:1.7W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤供應商器件封裝:6-DFN2020MD（2x2）標準包裝:1 PMPB20XNEAX PMPB20XNEAZ PMPB20XPE,115 PMPB215ENEA/FX PMPB215ENEAX PMPB23XNE,115 PMPB23XNEZ PMPB25ENEAX PMPB27EP,115 PMPB29XNE,115 PMPB29XPE,115 PMPB33XN,115 PMPB33XP,115 PMPB40ENAX PMPB40SNA,115 PMPB43XPE,115 PMPB45EPAX PMPB47XP,115